У Кореї придумали "паперову" флешку

0

Вчені з Корейського інституту передових технологій розробили нову технологію створення гнучкої флеш-пам’яті . В якості підкладки для такої пам’яті можуть використовуватися гнучкі полімери або папір. Про це пише N + 1 з посиланням на Nature Communications.

Створена дослідниками пам’ять, як і звичайна флеш-пам’ять, складається з транзисторів, в яких крім керуючого затвора є плаваючий затвор. Саме він і відповідає за зберігання інформації: при відсутності заряду на ньому транзистор проводить струм, а при наявності — немає.

У запропонованій дослідниками схемою стік і джерело складаються з алюмінію і кальцію, канал з фулеренів C60, а обидва затвора (керуючий і плаваючий) з алюмінію. Як матеріали діелектриків між затворами і каналом дослідники вибрали два полімеру, завдяки яким транзистору потрібно відносно невелика напруга для запису (близько десяти вольт), і, за розрахунками, він може зберігати значення інформації на протязі довгого часу — близько десяти років.

Leave A Reply